大数据存储内存写缓冲
MemStore 是什么？
写入先进内存并记 WAL，写满再刷成磁盘文件
类比：先在草稿纸上记，攒够一页再誊到正式本子上
写入路径
一次 put 的顺序是：先追加到 WAL（顺序写磁盘，保证不丢）→ 再写 MemStore（内存，按 RowKey 排序）→ 返回成功。用户感知到的延迟是内存级的。
MemStore 达到阈值（默认 128MB，按列族算）后整体刷成一个 HFile。刷盘是异步的，不阻塞写入。
为什么读会变慢
因为同一个 RowKey 的最新值可能散落在 MemStore 和多个 HFile 里，读请求要把它们都查一遍再按时间戳取最新。文件越多，读放大越严重——这就是需要 compaction 的原因。
写性能调优
MemStore 调大能减少刷盘次数、提升写吞吐，但会占用更多堆内存，且刷盘时抖动更大。堆紧张时容易触发 BlockingMemStoreFlush，写入直接被卡住，表现为“突然变慢”。